惠斯通電橋不是惠斯通發(fā)明的，在測量電阻及其它電學(xué)實(shí)驗(yàn)時(shí)，經(jīng)常會(huì)用到叫惠斯通電橋的電路，很多人認(rèn)為這種電橋是惠斯通發(fā)明的，其實(shí)，這是一個(gè)誤會(huì)，這種電橋是由英國發(fā)明家克里斯蒂在 1833年發(fā)明的，但是由于惠斯通第一個(gè)用它來測量電阻，所以人們習(xí)慣上就把這種電橋稱作了惠斯通電橋。

惠斯通電橋是由四個(gè)電阻組成的電橋電路，這四個(gè)電阻分別叫做電橋的橋臂，惠斯通電橋利用電阻的變化來測量物理量的變化。

          ⑴ 對(duì)邊

          R13=(R1+R3)//(R2+R4)   

          R24=(R1+R2)//(R3+R4)   

          ⑵ 鄰邊

          R12=R1//(R2+R3+R4)   

          R23=R3//(R1+R2+R4)   

          R43=R4//(R1+R2+R3)   

          R14=R2//(R1+R3+R4)   

          ⑶ 硅壓力芯片中的4 個(gè)電阻非常接近，簡稱為橋阻R。

           R1≈R2 ≈R3≈R4 ≈R

           R13≈R24 ≈R

           R12≈R23 ≈ R43≈R14≈3/4R

          硅壓力芯片中的電橋與理論存在差異，實(shí)際測試電阻時(shí)是有方向的，假設(shè)圖中 1端是IN+ ，3是IN-，測量電阻的萬用表正表筆應(yīng)接高點(diǎn)位，即測量1 、3 間的電阻，1接正表筆 + ，3 接負(fù)表筆。

          電橋不平衡時(shí)，G的電流IG與R1， R2，R3，R4有關(guān)。利用這一關(guān)系也可根據(jù)IG及三個(gè)臂的電阻值求得第四個(gè)臂的阻值，因此不平衡電橋原則上也可測量電阻。

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